納米級二氧化硅作為典型的納米顆粒材料具有分散性好,比表面積大,親水性、力學(xué)補(bǔ)強(qiáng)性、增稠性及防粘結(jié)性等特性,廣泛應(yīng)用于電子封裝材料、高分子復(fù)合材料、塑料、涂料、橡膠、顏料、陶瓷、膠黏劑、玻璃鋼、藥物載體、化妝品及抗菌材料、油墨等領(lǐng)域。

二氧化硅納米顆粒表面存在大量的不同狀態(tài)的羥基不飽和殘鍵,親水疏油,易于團(tuán)聚,必須要對其進(jìn)行功能化改性,以提高性能及應(yīng)用范圍。

表面接枝率測定-低場核磁法應(yīng)用:

樣品:二氧化硅等無機(jī)顆粒,ABS等表面接枝聚合物

規(guī)格:可裝入10mm口徑試管,裝樣高度不超過2cm注意事項:樣品不得含有大量鐵磁性物質(zhì)

表面接枝率測定-低場核磁法的優(yōu)勢:

1. 檢測成本低

2.快速簡單

3.適用于宏觀樣品等特性

4.無需任何專業(yè)操作員培訓(xùn)

表面接枝率測定-低場核磁法應(yīng)用基本原理:

LU等科學(xué)家采用多洛倫茲分裂算法將游離PEG的NMR信號與接枝的NMR信號區(qū)分開,從而可以使用1H-NMR對接枝過程進(jìn)行原位監(jiān)測。該方法的優(yōu)點(diǎn)是不受接枝基團(tuán)末端官能團(tuán)類型、表面化學(xué)性質(zhì)、納米粒子或組成的限制,它還為相關(guān)科學(xué)研究提供表征納米顆粒上基團(tuán)接枝密度的關(guān)鍵和標(biāo)準(zhǔn)指南。低場核磁技術(shù)因為其設(shè)備成本較低,使用簡單,適用于宏觀樣品等特性,非常適用于快速測定顆粒表面接枝率測定。它通過MSE系列序列實(shí)現(xiàn)死時間內(nèi)的1H核磁信號采集,zui大程度的采集到了接枝在顆粒表面的基團(tuán)中H原子核的信號,利用外標(biāo)法進(jìn)行定量分析。

低場核磁法用于表面接枝率測定

科研中由于做表面接枝改性實(shí)驗,有很多相關(guān)的數(shù)據(jù)需要和接枝率相聯(lián)系起來,但是不知道用什么方法來完成表面接枝率測定。本文介紹的低場核磁法是一種快速無損的檢測方法,推薦大家使用。